众所周知，intel一直被戏称为牙膏厂：每次性能都有一点提升，但是提升幅度都不大。这次intel将放弃10nm、7nm这种芯片制程命名，转而采用intel 7、intel 4这种方式命名芯片制程。
据悉，英特尔有望率先获得业界第一台 High-NA EUV 光刻机。此外，AWS 成为第一个使用英特尔代工服务（IFS）封装解决方案的客户，高通也将采用 Intel 20A 制程工艺技术。
英特尔公司 CEO 帕特・基辛格说：“我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到 2025 年制程性能再度领先业界。”
从英特尔下一个节点（之前被称作 Enhanced SuperFin）Intel 7 开始，英特尔后续节点将被命名为 Intel 4、Intel 3 和 Intel 20A。最后这个命名反映了摩尔定律仍在持续生效。
英特尔技术专家详述了以下路线图，其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术：
1、基于 FinFET 晶体管优化，Intel 7 与英特尔 10nm SuperFin 相比，每瓦性能将提升约 10%-15%。明年推出的 Alder Lake 客户端产品将采用 Intel 7 工艺，随后是面向数据中心的 Sapphire Rapids 预计将于 2022 年第一季度投产。Ponte Vecchio GPU 也将采用 Intel 7 工艺，于 2022 年初上市，其中集成了基片（base tiles）和 Rambo 缓存晶片（Rambo cache tiles）。
2、Intel 4 完全采用 EUV 光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样，每瓦性能约提升 20%。Intel 4 将在 2022 年下半年投产，并于 2023 年出货，产品包括面向客户端的 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids。
3、Intel 3 较 Intel 4 将在每瓦性能上提升约 18%，在芯片面积上有额外改进，得益于 FinFET 的优化和在更多工序中增加对 EUV 使用。Intel 3 将于 2023 年下半年开始用于相关产品生产。
4、Intel 20A 将凭借 RibbonFET 和 PowerVia 两大突破性技术开启埃米时代。Intel 20A 预计将在 2024 年推出。英特尔在 Intel 20A 制程工艺技术上与高通公司进行合作。
5、面向 2025 年及更远的未来：从 Intel 20A 更进一步的英特尔 18A 节点也已在研发中，将于 2025 年初推出，它将对 RibbonFET 进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。
在制程工艺基础性创新方面，英特尔拥有悠久的历史。据英特尔高级副总裁兼技术开发总经理 AnnKelleher 博士回顾，英特尔引领了从 90nm 应变硅向 45nm 高 K 金属栅极的过渡，并在 22nm 时率先引入 FinFET。”
他希望凭借 RibbonFET 和 PowerVia 两大开创性技术，Intel 20A 将成为制程技术的另一个分水岭。
“今天公布的创新技术不仅有助于英特尔规划产品路线图，对我们的代工服务客户也至关重要。”基辛格说，“业界对英特尔代工服务（IFS）有强烈的兴趣，今天我很高兴我们宣布了首次合作的两位重要客户。英特尔代工服务已扬帆起航！”